GAAS衬底相关论文
使用金属有机物气相沉淀方法(MOCVD),在GaAs衬底上生长InP外延层.先在GaAs衬底上生长一层低温InP缓冲层,然后再生长InP外延层.通过......
在GaAs(001)衬底上采用MOCVD方法沉积了ZnO薄膜,并研究了衬底温度和氧气流量对ZnO薄膜结晶性能及光电特性的影响.在610℃,O流量为1......
本文介绍了GaAs SOI衬底上制备MM-HEMT材料的方法.器件结果显示了优良的电荷控制能力,降低了衬底漏电流和1/5噪声.......
采用MBE生长技术,在半绝缘GaAs衬底上生长了大失配的InGaAs/InAlAs MM-HEMT材料.对其进行了透射电镜(TEM)、PL谱以及Shhubnikov-de......
High Hole Mobility of GaSb Relaxed Epilayer Grown on GaAs Substrate by MOCVD through Interfacial Mis
The structural property of GaSb epilayers grown on semi-insulator GaAs (001) substrate by metalorganic chemical vapor de......
在位错密度不同的LEC半绝缘（SI）GaAs衬底上离子注入制做MESFETs，观察衬底位错对MESFETs旁栅效应的影响．结果表明，衬底中高位错密度可以......
用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上外延生长了不同组分的ZnTe1-xSx（0＜x＜1）合金．用X射线衍射和喇曼散射对该合金的晶体结构和光学声子散射......
用含Ｚｎ的固态杂质源，在化合物半导体ＧａＡｓ基片上进行了连续波（ＣＷ）１０．６μｍ激光诱导扩散，做出了Ｐ－Ｎ结。分别利用扫描电子显微镜和二次离子质谱仪对扩散样品......
用电子回旋共振微波等离子体辅助金属有机化学气相沉积（ＥＣＲ－ＰＡＭＯＣＶＤ）法，在低温条件下，在（００１）ＧａＡｓ衬底上异质外延，生长了立方晶ＧａＮ薄膜．高分辩电镜（ＨＲＥＭ）观测与Ｘ射线衍射......
本文在ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ选择性腐蚀的基础上进行了腐蚀ＧａＡｓ衬底层获得ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ外延层薄膜的二次腐蚀技术。最终选用了Ｃ３Ｈ４（ＯＨ）（ＣＯＯＨ３）·Ｈ２Ｏ－Ｈ２Ｏ２系选择性腐蚀液和Ｈ２ＳＯ４－Ｈ２Ｏ２系腐蚀液，获得了快速、可......
Ga As衬底与外延层质量 ,尤其是晶体的完整性严重影响着以其为材料的半导体器件的性能 ,而超声 AB腐蚀法是一种能准确快速的显示 G......
当今信息社会,更大的储存容量、更快的读写速度、更高的数据安全性及更低的功耗是人们对存储器性能的要求,这就使得存储器件的尺寸......
本文用波长色散型电子探针对GaAs衬底上Ga_xIn_(1-x)P混晶膜的元素组分进行了分析,为用SEM-WDS测定该类混晶膜材料作了一次试验。
......
一、引言自从一九六二年应用射频溅射技术成功地溅射了石英、蓝宝石和金刚石以来,今天它已经广泛地用来溅射金属(如钛、金等),半......
用液封切克劳斯基(LEC)方法在热解氮化硼坩埚中生长的半绝缘GaAs,由于它的优越的可重复性和均匀性,在用作制备高速器件和集成电路......
为研制具有沟道衬底的单模激光器,讨论了H_2SO_4—H_2O_2一H_2O系对。GaAs衬底的择优腐蚀。分别对不同组分的腐蚀剂和温度进行了比......
本研究项目由电子部科技司下达。本工作是国内首次采用自行研制的MOCVD设备在GaAs和CdTe衬底上生长Ⅱ-Ⅵ族化合物——CdTe外延层。......
用改进的 MOCVD 装置成功地在 GaAs 衬底上生长了 CdTe 过渡层,获得了适合于生长Hg_(1-x) Cd_xTe(CMT)的 CdTe/GaAs 复合衬底材料......
本文详细叙述了多层W-Si薄膜的制备技术、生长速率、热退火对薄膜性能的影响,薄膜与GaAs衬底间的界面行为等。
In this paper, th......
本文首次报道了利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的有序的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光的研究,......
据日本《于L/亡汐,>学会志》1992年第10期报道,日本新技术事业团在GaAs衬底上已成功制成称作量子点、大小为100nm以下的超微细晶粒......
偿试性的在Ｐ—ＣａＡｓ衬底上采用液相外延技术，研制成了双异质结（ＤＨ）平面结构可见光半导体激光器．其波长为７９４．５ｎｍ，阈值电流为３Ａ，垂直结平面和平行结平面的光......
本文利用实验与模拟相结合的方法，通过分子束外延(MBE)设备在衬底上生长了GaSb单层膜、周期分别为10、20的GaSb/InAs超晶格，用双晶X......
GaN以及GaN基Ⅲ-Ⅴ族化合物因其特有的宽带隙而具有的优良的电学、光学性质和优异的材料机械性,使其在光学器件、电子器件以及特殊......
1.引言ZnSe是一种直接觉带隙半导体,它在制备蓝色发光器件方面有潜在的应用。人们已经利用MBE和MOCVD方法生长出结构完整的ZnSe薄......
...
日本通信综合研究所研制成功了在光通信波段(1．3μm波段)工作的类锑半导体量子点激光二极管，并进行了室温振荡。据理论推测，半导体量......
近日，由中科院上海技物所李天信博士后负责承担的上海市纳米专项“In（Ga）As／GaAs量子点的生长、表面局域电流及离子注入改性研究”通过......
本文详细叙述了多层W-Si薄膜的制备技术、生长速率、热退火对薄膜性能的影响,薄膜与GaAs衬底间的界面行为等。......
针对于普通外延生长GaAs衬底激光器材料中存在的位错严重、热胀系数不匹配等问题,总结了国外键合工艺,将其应用于发光波长为850nm......
介绍MEMS微波功率传感器的研究与发展,包括自加热式、间接加热式、插入式和电容式微波功率传感器。文中以共面波导(CPW)、负载电阻......
室温条件下,用低能离子束外延制备了GaAs:Gd薄膜,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰没有发现其它新相的衍射峰,并借助于高分辨......
利用超高真空电子束蒸发技术在GaAs(100)上生长Mn/S b多层膜,并经短时间热退火处理分别研究了其退火前后的磁性、磁光克尔效应及相......
利用光学薄膜原理，计算了采用晶片键合技术来提高以GaAs为衬底的立方相GaN的出光效率的理论可行性，以Ni为粘附层，Ag为反射层的Ni/Ag/A......
The effects of growth time on the structure and morphology of cubic GaN nucleation layers on GaAs(001)substrates by meta......
【正】 由于MOCVD、MBE等半导体材料生长技术飞跃发展,半导体多量子阱和超晶格的制备、研究和应用越来越引起广泛重视。GaAs多量子......
利用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射(XRD)分析了室温条件下离子束外延生长Ga、Mn、As样品,在不同的温度条件下进行退火后组分和元素......
研究了(100)GaAs衬底上,离子注入自对准 WSi_x栅 GaAs MESFET的阈值电压漂移与栅长和取向的关系。当栅长小于2μm时,栅不同取向的......
采用激光分子束外延技术,在GaAs（100）衬底上,利用SrTiO3（STO）/TiO2复合缓冲层生长外延Pb(Zr0.52Ti0.48)O3（PZT）铁电薄膜。TiO2/STO复合缓......
Effects of Thermal Annealing on the Spectral Properties of GaAsBi Alloys Grown by Molecular Beam Epi
...
据《Photonics Spectra》2004年第12期报导，德国的科学家已共同合作研究出目前最宽调谐范围(达40nm)的垂直腔表面发射激光器(VCSEL)......
