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设计和制备了吸收层和倍增层分开的4H-SiC穿通型雪崩紫外光电探测器．设计器件的倍增层和吸收层厚度分别为0．25和1μm．采用multiple junction termination extension（MJTE）方法减少器件的电流集边效应和器件表面电场．对器件的暗电流、光电流和光谱响应进行了测量．器件在55V的低击穿电压下获得了一个高的增益（〉10^4）；穿通前器件暗电流约为10pA数量级；OV偏压下器件光谱响应的紫外可见比大于10^3．光谱响应的峰值波长随反向偏压的增大而向短波方向移动，在击穿电压附