半绝缘GAAS相关论文
报道了用1064nm激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的一种奇特光电导现象.GaAs光电导开关的电极间隙为4mm,当偏置电场分别为2 0和6 ......
半绝缘GaAs非线性模式(Lock-on模式)可以由激光触发,也可以通过电子束注入触发。在GaAs光电导开关中,非线性模式能够带来极大的电......
为研究SIGaAs的电荷传输特性,该文用双侧金属接触和双侧欧姆接触SIGaAs结构分别对SIGaAs与金属直接接触和欧姆接触的电荷传输特性......
报道了用光子能量低于GaAs禁带宽度的红外激光脉冲,触发电极间隙为3mm和8mm的半绝缘GaAs光电导开关的实验结果。使用单脉冲能量......
研究了单(Si+)双(Si+/As+)离子注入半绝缘砷化镓(SI-GaAs)电激活的均匀性. 结果表明,LECSi-GaAs衬底中深电子陷阱能级(EL2)均匀性......
采用非接触式激光/微波光电导衰减技术 (LM-PCD) 对Φ50.8 mm双面抛光的半绝缘GaAs晶片的复合寿命进行了无损伤检测, 得到了有效载......
根据所建立的半绝缘(SI)GaAs的禁带宽度EgΓ公式,利用表面光伏(SPV)方法的测量结果,计算了室温下5种样品的EgΓ值,并对其中之一进......
通过显微光致发光技术和显微拉曼(Raman)技术研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)晶体的带边附近的发光.在光荧光谱中,观察到在高于GaAs带边......
根据所建立的半绝缘（SI)GaAs的禁带宽度Egг公式，利用表面光伏（SPV）方法的测量结果，计算了室温下5种样品的EgP值，并对其中之一进行了21-3......
采用低温(21 K-300K)稳态表面光伏实验方法,对腐蚀前后的半绝缘砷化镓(Si-GaAs)样品进行了大量的实验测量,发现其表面光伏谱可分为......
为了进一步理解光导开关非线性工作模式机理,通过实验以及理论研究方法,研究了半绝缘GaAs光导开关工作于非线性模式下在不完全击穿......
报道了用1064nm激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的一种奇特光电导现象．GaAs光电导开关的电极间隙为4mm，当偏置电场分别为2．0和6．0kV／c......
半导体材料电子能带结构的确定对研究其物理性质及其在半导体器件方面的应用有重要意义.光调制反射光谱是一种无损和高灵敏度的表......
报道了用1064nm激光脉冲触发电极间隙为8mm的半绝缘GaAs光电导开关的实验结果.在触发光能为1.9mJ,偏置电压分别为3kV和5kV条件下,......
在无光照条件下测量背栅时，部分半绝缘砷化镓材料呈现明显低频振荡。对振荡特性进行了初步研究，并观察了振荡对ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ噪声性能的影响。实......
在950°C和1 120 °C温度下,对非掺杂半绝缘LEC GaAs进行了不同As气压条件下的热处理,热处理的时间为2～14小时.发现不同As......
用1553nm飞秒光纤激光器触发半绝缘GaAs光电导开关的实验表明，当光电导开关处于3.33～10.3kV／cm的直流偏置电场并被脉冲宽度200fs且单......
通过同步X光荧光（SXRF）成分分析，定性地研究了在0．5atm、0.6atm、0.7atm As压下1150℃进行退火处理后衬底化学与比的变化。结果表明：控......
采用5种经不同砷压但相同生长温度(1000℃)和时间(5 h)处理的半绝缘(SI)GaAs样品,利用表面光伏(SPV)方法,测量和计算了SI-GaAs在室......
介绍了自洽式多粒子蒙特卡罗方法模拟半绝缘GaAs光电导天线辐射THz电磁时域波形。模型中采用光能、脉宽可调飞秒激光器作为触发光......
半绝缘GaAs光电导开关是利用脉冲激光器与半绝缘GaAs相结合组成的一类新型超快光电器件。与传统开关相比,半导体光电导开关具有触......
半导体材料的中子嬗变掺杂是中子物理与技术在半导体材料改性中的实际应用。它是通过中子引起的原子核嬗变掺入杂质,杂质浓度便于......
在无光照条件下测量背栅时,部分半绝缘砷化镓材料呈现明显低频振荡。对振荡特性进行了初步研究,并观察了振荡对GaAsMESFET噪声性能......
