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应变p型Si1—xGex层中补偿浅能级杂质的低温陷阱效应
应变p型Si1—xGex层中补偿浅能级杂质的低温陷阱效应
来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liongliong554
【摘 要】
:
研究了p型Si1-xGex应变层中补偿浅能级杂质(P、As、Sb)的低温陷阱效应。研究发现,1)三种补偿浅能杂质P、As、Sb相比较,Sb的陷阱效应最小,As的最大;2)Ge组份x越大,低温陷阱效应越小;3)补偿浅能级杂质浓度ND越大,低温陷阱效
【作 者】
:
张万荣
罗晋生
【机 构】
:
北京工业大学电子工程系,西安交通大学微电子研究所
【出 处】
:
微电子学
【发表日期】
:
1998年3期
【关键词】
:
HBT
应变层
陷阱效应
锗化硅
Semiconductor
SiGedevice
Heterojunctionbipolartransistor
Strain
【基金项目】
:
国家教委博士点基金,北京市科技新星计划基金
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研究了p型Si1-xGex应变层中补偿浅能级杂质(P、As、Sb)的低温陷阱效应。研究发现,1)三种补偿浅能杂质P、As、Sb相比较,Sb的陷阱效应最小,As的最大;2)Ge组份x越大,低温陷阱效应越小;3)补偿浅能级杂质浓度ND越大,低温陷阱效应越显著,温度越低,陷阱作用越明显。
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