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研究了ｐ型Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层中补偿浅能级杂质（Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ）的低温陷阱效应。研究发现，１）三种补偿浅能杂质Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ相比较，Ｓｂ的陷阱效应最小，Ａｓ的最大；２）Ｇｅ组份ｘ越大，低温陷阱效应越小；３）补偿浅能级杂质浓度ＮＤ越大，低温陷阱效应越显著，温度越低，陷阱作用越明显。
应变p型Si1—xGex层中补偿浅能级杂质的低温陷阱效应
【摘 要】
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研究了ｐ型Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层中补偿浅能级杂质（Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ）的低温陷阱效应。研究发现，１）三种补偿浅能杂质Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ相比较，Ｓｂ的陷阱效应最小，Ａｓ的最大；２）Ｇｅ组份ｘ越大，低温陷阱效应越小；３）补偿浅能级杂质浓度ＮＤ越大，低温陷阱效
【机 构】
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北京工业大学电子工程系,西安交通大学微电子研究所
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1998年3期
【基金项目】
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国家教委博士点基金,北京市科技新星计划基金
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