在３μｍ工艺条件下开发了一套实用的互补双极工艺（ＣＢ）。利用此工艺制造出特征频率分别为３．２ＧＨｚ和１．６ＧＨｚ的高性能ＮＰＮ与ＰＮＰ管，并成功地集成在压摆率高达２２００Ｖ／μｓ的高速......

介绍了双极工艺基区和发射区结构模拟所涉及的物理模型，包括与单种工艺有关的杂质分凝模型、硼的间隙扩散模型及高浓度磷扩散模型等......