横向SOI锗硅光电探测器的数值模拟

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户：excalibur

【摘要】

：

采用Atlas对SOI/CMOS兼容横向pin近红外锗硅光探测器进行了模拟分析.结果显示,外延应变SiGe层产生禁带变窄,形成了横向的二维空穴势阱沟道.在3V反向偏压下,电场沿横向均匀

【作者】

：

莫太山张世林郭维廉郭辉郑云光

【机构】

：

天津大学

【出处】

：

半导体光电

【发表日期】

：

2003年4期

【关键词】

：

SIGE 近红外光电探测器器件模拟 SiGe near infrared photodetector device simulation

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采用Atlas对SOI/CMOS兼容横向pin近红外锗硅光探测器进行了模拟分析.结果显示,外延应变SiGe层产生禁带变窄,形成了横向的二维空穴势阱沟道.在3V反向偏压下,电场沿横向均匀分布,光吸收层基本完全耗尽,光生载流子得到有效收集;与Si的光电响应相比,出现较明显的响应波长范围向长波长方向扩展、响应峰值波长向长波长方向移动,证实了探测器结构的有效性和其良好的光电性能.

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