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CdS是一种直接带隙半导体，室温下其禁带宽度约为2．4eV，是一种良好的太阳能电池窗口层材料和过渡层材料。分别以CdCl2和（NH2）2Cs作为镉源和硫源，用化学淀积法在玻璃上生长CdS纳米薄膜，考察了Cd^2＋浓度、淀积温度、淀积时间以及溶液pH值对CdS成膜的影响。紫外可见光吸收谱和荧光光谱的结果表明，在样品的制备过程中，通过改变反应条件如化学试剂的浓度、加热温度、加热时间等来控制薄膜中颗粒的尺寸大小，随着反应温度的逐渐降低或反应时间的减少等可以使得到的CdS纳米晶薄膜中晶粒尺寸逐渐减小，带隙增加；镉