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利用正向交流（ac）小信号方法对GaN发光二极管的电容．电压特性进行测量，可以观察到GaN发光二极管中的负电容现象。正向偏压越大，测试频率越低，负电容现象越明显。测量到的负电容现象是表象，不存在负电容；提出GaN发光二极管p-n结的结电容在特定的正向电压范围内等效于可变电容。分析可变电容对正向交流小信号响应得到：特定参数的可变电容使结电容电流相位落后于交流小信号电压相位π/2，使得二在测量中表现为负电容。发现表观电容．正向电压曲线的极值点与理论模型相吻合，证明了该理论模型的正确性。