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采用反应烧结工艺，通过添加成孔剂的方法，制备出具有球形宏观孔的低密度多孔氮化硅陶瓷，研究了球形宏观孔和烧结工艺对多孔氮化硅陶瓷性能的影响。实验结果表明，与未添加成孔剂的样品相比，成孔剂的添加有效降低了材料的气孔率，使材料的介电常数e’和介电损耗tanδ下降。孔的加入能促进针状氮化硅的生成，降低单位体积中产生的热量，防止局部过热从而避免硅熔现象的出现。缓慢的升温速率可促进a-Si_3。的生成，减少针状物，降低试样中游离硅的含量。烧结后的试样经过热处理可以使氧原子扩散进入材料内部，和试样中的游离Si结合成Si