【摘 要】
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基于自由能越低越稳定原理和芯-壳结构模型，论述了晶粒边界型陶瓷电容器（GBBLC）的形成。根据晶格结构紧密程度和结合能的大小，讨论了SrTiO3陶瓷半导化的途径。通过再氧化、施主离
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基于自由能越低越稳定原理和芯-壳结构模型，论述了晶粒边界型陶瓷电容器（GBBLC）的形成。根据晶格结构紧密程度和结合能的大小，讨论了SrTiO3陶瓷半导化的途径。通过再氧化、施主离子的表面偏析、正缺位补偿和受主离子的表层结合等作用，而形成了介质壳层。文中还讨论了有关工艺进展及低温一次烧成GBBLC的可能性。
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