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本文采用X射线衍射仪（XRD）,通过异常透射对半绝缘砷化镓（SI-GaAs）的形貌及缺陷进行研究。在没有特殊工艺措施的情况下,LEC法生产的SI-GaAs单晶片的周边区域,都存在有高密度位错的相互作用、割阶和缠绕的产物-胞状结构。X射线形貌技术可以显示SI-GaAs中的高密度位错的结构与分布,从而评估其质量。