ZnGeP2多晶合成爆炸原因分析与工艺改进

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分析了磷锗锌(ZnGeP2)多晶合成中的化学反应及其发生爆炸的原因,研究出防止安瓿爆炸的合成新工艺。采用改进的单温区合成法,配合梯度降温冷却技术,有效地避免了ZnGeP2合成过程中的爆炸现象,实现了富余P与合成产物的有效分离。经X射线衍射仪、能量分散光谱仪测试表明:合成产物是高纯单相的ZnGeP2多晶材料。以此为原料,采用垂直布里奇曼法进行ZnGeP2晶体生长,获得了尺寸达Φ20 mm×60 mm外观完整、结晶性好的ZnGeP2单晶体。 The chemical reaction in the synthesis of polycrystalline ZnGeP2 and its cause of explosion were analyzed, and a new synthetic technique to prevent ampoule explosion was developed. The improved single-temperature zone synthesis method, combined with the gradient cooling technique, effectively avoids the explosion phenomenon in the ZnGeP2 synthesis process and achieves the effective separation of the surplus P and the synthesized product. The X-ray diffraction, energy dispersive spectroscopy test showed that: the synthesis of high purity single-phase ZnGeP2 polycrystalline material. Using this as raw material, ZnGeP2 crystal was grown by vertical Bridgman method, and the ZnGeP2 single crystal with the size of Φ20 mm × 60 mm and the good crystallinity was obtained.
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