多晶合成相关论文
采用温度振荡法和改进的布里奇曼法进行了CdGeAs2多晶合成与单晶生长,生长出?28 mm×65 mm完整无开裂的CdGeAs2单晶体.用金刚石外......
综合报道了本实验室关于黄铜矿类I-III-VI2型系列晶体的研究进展。采用两温区气相输运温度振荡法合成出高纯、单相、致密的多晶材......
磷锗锌(ZnGeP_2)单晶体是一种性能优异的红外非线性光学晶体材料,被广泛应用于各种先进的光学器件。研究ZnGeP_2晶体的生长方法,对......
本文对PbI2合成反应体系的反应焓变,反应熵增,Gibbs自由能变化和反应平衡常数进行了理论计算,从热力学角度论证了选取PbI2熔点(678......
以高纯(99.9999%)Ge、Zn、P单质为原料,按化学计量比并富P0.5%配料,采用改进的单温区合成法和分级冷却技术合成出单相、致密的ZnGeP2......
随着科学技术的迅速发展,核技术已经渗透到科技、军事、环境、经济等各个领域中,使得核辐射探测器成了研究重点。而高性能的核辐射......
钼(钨)酸盐晶体具有优良的闪烁性能,如:密度大、发光效率高、衰减时间短,被广泛应用于核物理、高能物理、医疗诊断等领域。本论文选择了......
综合报道了国内AgGaS_2晶体生长的研究进展。单相高纯的AgGaS_2多晶材料主要采用两温区气相输运温度振荡法和普通输运法合成。垂直......
报道了红外非线性光学材料硫镓银多晶原料合成与单晶生长的方法──两温区气相输运温度振荡合成和坩埚旋转下降生长法.合成了高纯单......
采用二温区气相输运温度振荡方法合成了高纯单相致密的AgGaS2多晶,计算出晶格常数a=5.7535nm,c=10.3008nm,以及S原子位置x=0.279,与PDF值......
分析了磷锗锌(ZnGeP2)多晶合成中的化学反应及其发生爆炸的原因,研究出防止安瓿爆炸的合成新工艺。采用改进的单温区合成法,配合梯......
两温区气相输运合成ZnGeP2多晶,易发生化学计量比偏离,产生Ge、Zn3P2等杂相,在合成坩埚(石英安瓿)内壁凝聚一层ZnP2和P的沉积物.通......
以高纯(6N)Cd、Ge和As单质为原料,按CdGeAs2的化学计量比配料,采用机械振荡和温度振荡相结合新方法合成出CdGeAs2多晶锭,经X射线粉末衍......
两温区气相输运合成ZnGeP2多晶,易发生化学计量比偏离,产生Ge、Zn3P2等杂相,在合成坩埚(石英安瓿)内壁凝聚一层ZnP2和P的沉积物.通过......
以(99.99%)Ga2O3和Tb4O7为原料,按照化学计量比并适当富镓配料,采用固相反应法(分段升温工艺)合成高纯、单相的铽镓石榴石(Tb3Ga5O12,简......
研究设计了ZnGeP_2多晶的合成装置,包括合成安瓿,合成炉结构与温场分布。利用自行设计的合成装置,采用两温区气相输运法进行ZnGeP_......
本文采用高温固相法合成了Sm^3+掺杂的NasY(MoO4)。粉末样品。利用X射线衍射仪(XRD)、同步热分析仪(DSC.TG)、荧光光谱仪等分析测试仪器,对......
以高纯(6N)Cd、Si、P单质为原料,按CdSiP2化学计量比并适当富磷配料,采用传统气相输运法合成出CdSiP2多晶。X射线衍射(XRD)分析及Rietv......
采用离子型化合物函数模型,对CdSiP2多晶合成过程的反应焓、熵、Gibbs自由能以及化学平衡常数等热力学参数进行了计算,在1473 K合......
高纯度的多晶对生长优质单晶起着至关重要的作用。原料对石英坩埚的腐蚀,以及偏离化学计量生成的二元、三元中间相均会严重影响CdG......
对新型中红外非线性光学材料CdGeAs2的多品合成和单品生长进行了研究.以高纯(99.9999%)As、Ge、Cd为原料,按照CdGeAs,化学计量比并适当富C......
采用改进的两温区气相输运合成方法(MTVTM)合成PbI2多晶原料,简化了合成工艺,有效避免了合成安瓿爆炸。XRD分析结果表明:新方法合成的......
在同一安瓿中一次性合成、生长出了外形完整、无裂纹的AgGaS2单晶体,尺寸达φ10mm×20mm.并进行了X射线能谱元素分析,测定了Ag......
根据对Ag2S-Ga2S3赝二元相图的分析,采用同成分点配料,分别采用一种新方法--两温区气相输运温度振荡法和普通气相输运法合成AgGaS2......
高纯AgGa1-xInxSe2多晶料,是进行单晶生长的关键和前提.本文以合成AgGa0.8In0.2Se2为例,对影响AgGa0.8In0.2Se2多晶合成质量的因素进......
碘化铅(PbI2)晶体是一种极有前途的室温核辐射探测器材料,可用于探测1keV-1MeV范围内的γ射线和α射线,在制作大面积X射线成像阵列方面......
AgGaGenQ2(n+1)(Q=S、Se)晶体是性能优异的中红外高功率非线性光学材料,在红外跟踪、制导、激光反卫星和激光医学等领域有重大应用......
采用二温区气相输运温度振荡方法合成了高纯单相致密的AgGaS2多晶,计算出晶格常数a=5.7535nm,c=10.3008nm,以及S原子位置x=0.279,与PDF值......
本文对PbI2合成反应体系的反应焓变,反应熵增,Gibbs自由能变化和反应平衡常数进行了理论计算,从热力学角度论证了选取PbI2熔点(678K......
按富P 0.5%配料工艺,采用改进的两温区气相输运法合成ZnGeP2多晶原料,既简化了传统两温区法的装料工艺,又有效避免了合成安瓿爆炸,......
ZnGeP2多晶的合成是其单晶生长的前提和基础,多晶材料的质量是生长高质量单晶的关键。因此,要获得高质量的ZnGeP2单晶体,必须提供......
采用高纯(99.9999%)Ag、Ga、In和Se单质为原料,按化学计量比富Se0.3-0.5%配料,通过机械振荡和温度振荡相结合的方法合成出单相高致密AgGa1-x......
富Pb配料、采用两温区气相输运法合成了单相的PbI2多晶材料,实验中出现熔体分层的现象.对合成结果的X射线衍射分析(XRD)和能量色散X......
综合报道了本实验室关于黄铜矿类I-III-VI2型系列晶体的研究进展。采用两温区气相输运温度振荡法合成出高纯、单相、致密的多晶材......
本文论述了黄铜矿结构中红外高功率非线性光学晶体ZnGeP2、CdGeAs2和CdSiP2的研究进展。以高纯(6N)Ge、Si、Zn、Cd、P和As单质为原......
本文直接使用高纯Ag,Ga,Ge,S单质作为原料合成AgGaGeS4多晶。为防止S蒸气高压使多晶合成管炸裂,采用双温区气相输运的合成方法。对合成......
采用直接合成方法无法得到纯相的碲镓锂(LiGaTe2)多晶原料,因此提出了两步合成法进行LiGaTe2多晶原料合成,即先合成二元相Ga2Te3,再......
以高纯(6N)Cd、Ge、As单质,按CdGeAs2化学计量比配料,应用传统工艺合成出砷锗镉(CdGeAs2)多晶材料。采用Rietveld法,对合成的CdGeAs2多晶......
按同成分熔化点配料,采用改进了合成温控条件的双温区气相输运法成功合成出AgGaS2多晶原料,通过精确控温,有效避免了反应过程中由S......
选择ZnSe多晶合成中具有最大气体总压力的Zn—Se-NH4Cl体系,通过在合成温度下减小石英坩埚内外压力差的途径,设计了专门的气体高压晶......
硒锗钠(Na2Ge2Se5)是一种极具潜质新型红外非线性材料。但该化合物具有明显的制备难点。根据其制备特点,自行设计并搭建反应装置,高......
硒化镉(CdSe)是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,在核辐射探测、非线性频率转换等方面都有着重要的应用。高纯原料是生长优质CdSe单晶,......
含有硫/硒(S/Se)元素的部分化合物在现有中红外非线性晶体材料中占据相当重要的地位。高纯多晶原料是生长优质S/Se光学晶体的基础,但......
ZnGeAs2是黄铜矿结构的三元化合物半导体材料,在红外非线性光学方面有重要应用前景。本文探讨了ZnGeAs2多晶的形成途径和合成机理,......
砷锗镉(CdGeAs2)晶体是一种II-IV-V2族三元黄铜矿结构化合物半导体,熔点约为662℃,是已知非线性光学系数最大(d36=236pm/V)的一种......