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使用M-2000UI型宽光谱可变入射角椭偏仪，对在单晶硅片上真空蒸镀的酞菁氧钛（TiOPc）薄膜的光学性质进行了研究。在248-1650nm（0．75～5ev）的范围内分别使用柯西模型、逐点拟合模型、洛伦兹模型和高斯模型对测得的椭偏光谱进行拟合分析，获得了TiOPc薄膜的折射率、消光系数和复介电常数。通过比较，我们发现高斯模型拟合的均方差较小，拟合数据和测试数据重合度好，而且拟合得到的光学常数的图线光滑连续，因此认为高斯模型最适用于描述TiOPc薄膜的光学性质。由高斯模型拟合所得的消光系数推出了TiOPc