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用脉冲调制荧光仪测定了经过水分胁迫处理的玉米苗叶片的叶绿素荧光,结果表明,脱水不影响原初荧光,而轻微抑制最大荧光,可变荧光,光化学效率和PSⅡ有效活性。只改变光化猝灭在头一分钟内饱和脉冲闪光的变化。然而,当遭受水胁迫的叶再用高光处理30分钟,荧光产量,荧光动力学和qp、非光化学猝灭均发生明显变化。用氧自由基清除剂二叔丁基对甲酚、抗坏血酶和6-BA对叶片进行预处理,能在一程度上改变失水对Q-猝灭和E