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采用MOCVD方法，利用二甲基肼为氮源，进行了GaNAs材料的生长。利用高分辨X射线衍射与二次离子质谱测试方法确定了材料中氮的组分。采用室温光致发光谱测量了样品的光学性质。讨论了不同的镓源对GaNAs材料质量和其中的杂质含量的影响，结果证明三乙基镓在GaNAs在低温生长中比三甲基镓具有更大的优势。采用三乙基镓生长的GaNAs中氮的含量达到5．688％。光致发光谱的峰值波长为1278．5nm。