GaNAs相关论文
通过多种光谱手段研究了GaNAs量子阱和体材料中的局域态和非局域态的不同光学特性.在超短激光脉冲激发下,第一次在GaNAs/GaAs量子......
研究了离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的 Ga NAs/ Ga As和 Ga In NAs/ Ga As量子阱的影响 .研究表明离子损伤是影响 Ga NAs......
采用 MOCVD方法 ,利用二甲基肼为氮源 ,进行了 Ga NAs材料的生长 .利用高分辨 X射线衍射与二次离子质谱测试方法确定了材料中氮的......
用同步送粉器在白口铸铁基体上激光熔覆了Hganas钴基合金。利用光学显微镜、扫描电镜及附件、X射线衍射仪分析了熔覆层的凝固组织......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
用光荧光谱(PL)研究了GaNxAs1-x/G aAs单量子阱(SQW)的光跃迁性质和带阶.通过研究积分荧光强度与激发强度的关系及光谱峰 值位置与......
我们利用光荧光(PL)以及时间分辨光谱(TRPL)研究了用MBE生长在GaAs衬底上的GaNAs/GaAs量子阱的激子局域化以及退局域化.研究发现,......
应用多种光谱手段研究了分子束外延生长在半绝缘的 (0 0 1)GaAs衬底上的低氮含量的GaNAs中三元合金态的光学特性 .变温PL谱揭示了......
采用分子束外延(MBE)生长技术生长了周期厚度不同的1 e V吸收带边的Ga N0.03As0.97/In0.09Ga0.91As应变补偿短周期超晶格(SPSL)。......
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在15 K和0～9 GPa静压范围下测量了GaN0.1 5As0.985/GaAs量子阱的光致发光谱.观察到了GaNAs阱和GaAs垒的发光,发现GaNAs阱发光峰随压......
首次利用材料在超短脉冲激发下的瞬间高载流子密度特性研究了GaNxAs1-x/GaAs量子阱的光学特性.研究首次发现在高于量子阱的Mott迁......
采用MOCVD方法，利用二甲基肼为氮源，进行了GaNAs材料的生长。利用高分辨X射线衍射与二次离子质谱测试方法确定了材料中氮的组分。采......
通过时间分辨光谱研究了GaNxAs1-x的量子阱以及体材料中非局域态和局域态的动力学特征。实验结果通过比较非局域态与局域态的差别......
通过多种光谱手段研究了GaNAs量子阱和体材料中的局域态和非局域态的不同光学特性.在超短激光脉冲激发下,第一次在GaNAs/GaAs量子......
对分子束外延生长的GaNAs外延层进行了拉曼散射研究 ,观测到了由于导带中的E+态所引起的共振散射和由此产生的布里渊区非Γ点声 子......
