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为了研究157nm激光对SiO2材料的加工特性，用157nm激光刻蚀晶体光纤的端面，以晶体光纤的微孔轮廓作为参照，对刻蚀深度和烧蚀程度进行定量地分析。157nm激光的光子能量达7．9eV，能够被SiO2强烈地吸收，会在SiO2上诱导出点缺陷结构，产生大量的种子电子。同时光纤SiO2材料的掺杂使157nm激光损伤的阈值大大降低，实际加工速率达210nm／脉冲。结果表明，由于单光子雪崩电离吸收的速率远高于高阶多光子吸收的速率，所以157nm激光对SiO2材料损伤的主要机理是单光子雪崩电离吸收过程，破坏其分别占