ZnO-MoO3添加(Zr0.8Sn0.2)TiO4微波陶瓷的介电性能

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微波电路的小型化、集成化和高可靠性对微波陶瓷提出了特殊的要求,作者在(Zr0.8Sn0.2)TiO4主相系统中,单一添加ZnO或复合添加ZnO-MoO,考察了不同含量的上述改性添加剂对Zr0.8Sn0.2TiO4陶瓷显微结构和微波介电性能的影响,主相合成条件为1100℃下3h;粉碎、成型后样品在1240℃~1400℃下3h烧成,在1GHz下用谐振腔法测量了材料的介电常数和Qf值,并在1M下测量了频率温度系数τf,采用SEM对样品进行形貌观察及能谱分析,并进行了XRD表征、研究结果表明,单独添加少量的ZnO
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