【摘 要】
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采用相同的工艺制备ZnO压敏电阻和未掺杂ZnO陶瓷片后,用扫描电镜(SEM)、电阻率计和X射线光电子能谱(XPS)对它们形貌、电阻率、界面化学计量比和电子状态进行了研究。实验发现
【机 构】
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电子科技大学微电子与固体电子学院; 电子科技大学微电子与固体电子学院 四川成都610054; 四川成都610054;
【基金项目】
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信息产业部电子预研资助项目(41323020202)
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采用相同的工艺制备ZnO压敏电阻和未掺杂ZnO陶瓷片后,用扫描电镜(SEM)、电阻率计和X射线光电子能谱(XPS)对它们形貌、电阻率、界面化学计量比和电子状态进行了研究。实验发现:未掺杂ZnO晶粒粒径小于10μm且均匀性差;ZnO电阻率对烧结气氛敏感,其值在2.36～47.97Ω·cm之间,界面存在非化学计量氧锌比,O/Zn=1.29。掺杂后,ZnO压敏电阻界面价电子峰减小,证实压敏电阻陷阱态的存在,表明需用载流子陷阱态补充双肖特基势垒模型。
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