陷阱态相关论文
钙钛矿太阳电池的实用化需要器件性能和稳定性进一步提升.这里,我们引入了乙氧基化聚乙烯亚胺(PEIE)和碲二酚基二维金属有机骨架(2......
纳米TiO2多孔薄膜中陷阱态的数量与分布影响光致电子的传输与复合,进而影响DSSCs的性能.本文采用三电极体系,通过电化学阻抗谱(EIS......
脉冲激光在SiGe合金样品表面可以形成量子点结构。样品退火处理后,在720～800 nm光谱区域内存在一些受激发射峰,并且这些受激发射峰......
对非晶硅薄膜晶体管,提出基于陷落电荷和自由电荷分析的新方法。考虑到带隙中指数分布的深能态和带尾态,给出了基于阈值电压的开启......
期刊
我们分别在氧气、氮气或空气等不同氛围中用纳秒脉冲激光在硅基上加工生成网孔结构,发现这些样品有增强的PL发光,且各样品的PL峰很......
经激光辐照和高温退火后能够在硅基上生成氧化多孔硅结构。用514 nm的激光泵浦,观测到该多孔硅的受激辐射。当激励强度超过阈值时,......
我们用波长为1064nm的纳秒脉冲激光在硅表面打出小孔结构,然后再做高温退火处理形成了硅的纳米氧化低维结构.在514nm激光泵浦下,发......
纳晶硅氧化以后的PL发光带中心明显地钉扎在690nm～750nm波长之间，发光强度有显著的增加。我们通过研究纳晶硅氧化后化学键结构的改变......
我们分别在氧气、氮气或空气等不同氛围中用纳秒脉冲激光在硅基上加工生成网孔结构，发现这些样品有增强的PL发光，且各样品的PL峰很相......
非晶InGaZnO（a-IGZO）薄膜在制备过程中形成的缺陷和弱键以陷阱态的形式非均匀分布在a-IGZO的带隙中，这些陷阱态会俘获栅压诱导的电荷，......
采用相同的工艺制备ZnO压敏电阻和未掺杂ZnO陶瓷片后,用扫描电镜(SEM)、电阻率计和X射线光电子能谱(XPS)对它们形貌、电阻率、界面......
研究了TiCl4处理对纳米结构SrTiO3薄膜电极及染料敏化太阳能电池的影响。与未处理SrTiO3电极相比,TiCl4处理后的电极能够吸附更多......
通过固相烧结和高能球磨后热处理两种方法分别得到不具晶（相）界和具有明显晶（相）界的两种Nd（0.7）Sr（0.3）MnO3陶瓷样品,并用两线法和四线法......
经激光辐照和高温退火后能够在硅基上生成氧化多孔硅结构。用514nm的激光泵浦，观测到该多孔硅的受激辐射。当激励强度超过阈值时，在6......
用514nm激光抽运纳晶硅样品时，我们观测到表面上氧化结构在692nm和694nm处的尖锐受激发光，其明显的阈值行为证明了它的受激辐射特性......
应用HP4192A低频阻抗分析仪测量了低压ZnO压敏陶瓷的复电容曲线,研究了烧结温度对复电容曲线压低角的影响规律,探讨了晶粒边界耗尽......
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
GaN基HEMT器件具有耐高压、耐高温以及抗辐射等特点,在功率器件领域应用广泛。尽管目前AlGaN/GaN HEMT器件的性能指标已达到较高水......
学位
考虑到有机薄膜晶体管（OTFT）带隙中存在指数分布的陷阱态密度,提出了基于表面势的电流解析模型.在模型建立过程中,使用薄层电荷近似......
针对非对称双栅结构的非晶硅薄膜晶体管,根据高斯定理建立了表面势与背电势随栅压变化的隐含关联方程组,通过求解一维泊松方程推导......
期刊
为了在获得高击穿电压的同时实现增强型器件,对AlGaN/GaN/AlGaN双异质结HEMT进行了栅槽刻蚀,得到阈值电压为0.6 V的增强型HEMT。对......
期刊
GaN材料由于具有禁带宽度大、击穿电场强、饱和电子漂移速度大及化学性质稳定等特点,在高温、高压、微波、大功率器件领域具有广阔......
随着社会经济的发展和生活水平的提高,人们在追求更加舒适的生活环境的同时,也在消耗着越来越多的能源。随着世界范围内能源供应紧......
随着液晶显示技术的发展,人们对其控制组件薄膜晶体管的要求越来越高。以铟鎵氧化锌为代表的金属氧化物由于具有迁移率高、透明度......
导纳谱法是在不同边界条件下,根据空间电荷限制电流理论,推导并建立的描述有机半导体传输机制的理论模型。本文用导纳谱法来研究结......
