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结温是发光二极管的重要参数之一，它对器件的内量子效率、输出功率、可靠性及LED的其他一些性能有很大的影响。首次报道Si衬底GaN基LED的结温特性。利用正向压降法测量Si衬底上GaN基LED的结温，通过与蓝宝石衬底上GaN LED的结温比较，发现Si衬底GaN LED有更低的结温，原因归结为Si有更好的导热性。同时也表明：用Si作GaN LED的衬底在大功率LED方面具有更大的应用潜力。