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,Effect of Si doping in wells of AlGaN/GaN superlattice on the characteristics of epitaxial layer
【机 构】
:
Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices,Xidian University,Xi’an 710071,C
【出 处】
:
中国物理B(英文版)
【发表日期】
:
2012年7期
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