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利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术,研制出了高质量的InGaAs/AlGaAs/GaAs单量子阱激光器,其有源区采用了分别限制单量子阱结构(SCH-SQW),利用该材料做出的半导体激光器的连续输出功率大于1W,峰值波长910nm±2nm.
InGaAs／AlGaAs／GaAs单量子阱激光器的研究
【摘 要】
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利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术,研制出了高质量的InGaAs/AlGaAs/GaAs单量子阱激光器,其有源区采用了分别限制单量子阱结构(SCH-SQW),利用该材料做出的半导体激光器
【机 构】
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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
【出 处】
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长春理工大学学报
【发表日期】
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2003年4期
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