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采用硅基AIN薄膜作为压电衬底，利用改进的δ函数模型对变迹加权圆形IDT结构进行建模仿真，根据仿真结果设计SAW带通滤波器版图，并在实验室制作了中心频率为300MHz，带内插损8dB的SAW带通滤波器样品。测试结果表明，其仿真结果与试验结果一致性较好。
圆形IDT结构声表面波滤波器的设计与实现
【摘 要】
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采用硅基AIN薄膜作为压电衬底，利用改进的δ函数模型对变迹加权圆形IDT结构进行建模仿真，根据仿真结果设计SAW带通滤波器版图，并在实验室制作了中心频率为300MHz，带内插损8dB的SA
【机 构】
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贵州大学人民武装学院,贵州大学理学院,贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳学院
【出 处】
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电子元件与材料
【发表日期】
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2013年4期
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