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忆阻器被认为是除电阻、电容、电感元件之外的第四个基本的无源元件,由于它具有非易失记忆在众多领域里有广泛的应用前景。采用溶胶凝胶法在玻璃衬底上制备出TiO2薄膜,用探针法和半导体参数分析仪表征它的I-V特性,用原子力显微镜表征它的表面形貌,用台阶仪测量它的厚度。结果表明在两个电极之间的TiO2薄膜具有忆阻器特性,阈值电压约为0.8V,两态电阻分别是53?和5?。