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采用分子束外延方法生长了8nm基区的InGaP-GaAs双异质结材料，研制成具有负阻特性的异质结晶体管．该晶体管可以集成在高速高频的数字逻辑电路中，大大减少了器件数目．讨论了薄基区负阻异质结晶体管的负阻特性及其物理机制．器件负阻特性的产生与其结构密切相关，包括导带势垒尖峰和基区宽度负反馈效应．推出了物理公式，并且使用PSPICE模拟软件建立了电路模型．模拟结果符合制作器件的测量结果．