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本实验针对N型InP做氦和氖双离子注入及随后的退火,并用C-V测试方法测量样品中缺陷的电特性,测量结果显示,氦和氖双离子注入在InP......
大功率超高速半导体开关RSD(Reversely Switched Dynistor)是一种基于可控等离子层换流原理的新型固体开关。由于采用了可逆注入控......
针对数字电路的开发和应用,设计了一种薄基区晶体管,其横向结构采用单侧基极引出。 采用全离子注入,实现了基区宽度为80~100 nm的n......
采用MBE方法生长了8nm基区的InGaP／GaAs双异质结材料，研制成具有负阻特性的异质结晶体管．在恒压恒流条件下均观察到了负阻特性并对其......
采用分子束外延方法生长了8nm基区的InGaP-GaAs双异质结材料，研制成具有负阻特性的异质结晶体管．该晶体管可以集成在高速高频的数字......
为研究单基极薄基区晶体管的特性，设计了一种单侧基极引出结构薄基区的晶体管，在p型SOI衬底上全离子注入实现了基区宽度为80nm的npn......
