【摘 要】
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在电场为3.2kV/cm,电流密度为50mA/cm2条件下对ZnO压敏陶瓷进行了115h的直流老化,研究了直流老化对ZnO压敏陶瓷电气性能及缺陷结构的影响.发现直流老化115h后ZnO压敏陶瓷的电
【机 构】
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西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室;
【基金项目】
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国家自然科学基金(批准号:50977071,51177121)资助的课题~~
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在电场为3.2kV/cm,电流密度为50mA/cm2条件下对ZnO压敏陶瓷进行了115h的直流老化,研究了直流老化对ZnO压敏陶瓷电气性能及缺陷结构的影响.发现直流老化115h后ZnO压敏陶瓷的电位梯度、非线性系数分别从2845V/cm,38.3下降到51.6V/cm,1.1,介电损耗中的缺陷松弛峰被增大的直流电导掩盖,电模量中只观察到一个缺陷松弛峰,低频区交流电导率急剧增大并且相应的电导活化能从0.84eV下降到只有0.083eV.通过对直流老化后的ZnO压敏陶瓷在800℃进行12h的热处理,发现其电气性能和介电性能都得到了良好的恢复并有一定的增强,电位梯度、非线性系数恢复到3085V/cm,50.8,电导活化能上升到0.88eV.另外,其本征氧空位缺陷松弛峰也得到了一定的抑制.因此,认为热处理过程中氧在晶界处的扩散作用对ZnO压敏陶瓷的直流老化恢复起到了关键作用.
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