【摘 要】
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从忆阻的定义出发,本文提出了一种新的磁控忆阻模型,并采用通用有源电路芯片设计了浮地忆阻电路模拟器。忆阻模型由线性电阻和随时间变化的非线性电阻两部分构成,由非线性电
【基金项目】
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国家自然科学基金资助(61601062)
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从忆阻的定义出发,本文提出了一种新的磁控忆阻模型,并采用通用有源电路芯片设计了浮地忆阻电路模拟器。忆阻模型由线性电阻和随时间变化的非线性电阻两部分构成,由非线性电阻参数分析了忆阻模型的频率特性。基于Multisim仿真软件给出了在不同交变信号激励以及不同参数下忆阻电路模拟器的仿真结果,从而研究了其二端口的基本电特性。最后,完成了其硬件电路的实现及性能测试。电路仿真和硬件测试结果均表明:所设计的磁控忆阻电路模拟器具有紧磁滞回线特性,与理论上的忆阻特性相吻合,可为忆阻在电子学领域的应用提供一种器件模拟实体。
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