论文部分内容阅读
用rf和反应磁控溅射法成功制备了一种总厚度为530~730nm的SrTiO3/Ta2O5复合介电层,获得在500Hz下介电常数为48~73,反映介电损耗的参数△Vy在0.06~0.15V之间,击穿场强为106~139MV/m,在0.05V/nm的电场下正、反向漏电流在10^-9~10^-7A/cm^2之间,品质因子(εrεoEb)大于5μc/cm^2。同时比较了SrTiO3/Ta2O5复合介电层和SrTiJO3和Ta2O5单层薄膜的介电性能。把复合膜应用于以ZnS:Mn和Zn2Si0.5Ge0.5O4:M