【摘 要】
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非晶硅/非晶硅锗叠层电池制备中非晶硅锗子电池本征层采用“喇叭口”结构.通过优化各层掺杂浓度,实现叠层电池光学带隙从1.95～1.5 eV之间的梯次平滑过渡(其中P层窗口层带隙1.9
【机 构】
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衡水学院 衡水053000河北汉盛光电科技有限公司 衡水053000;石家庄铁道大学 石家庄050000;
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非晶硅/非晶硅锗叠层电池制备中非晶硅锗子电池本征层采用“喇叭口”结构.通过优化各层掺杂浓度,实现叠层电池光学带隙从1.95～1.5 eV之间的梯次平滑过渡(其中P层窗口层带隙1.95 eV,a-Si:H 1.7 eV,a-SiGe:H 1.5 eV).探讨了NP隧穿结对叠层电池开路电压(Voc)和填充因子(FF)的影响,制备出FF为0.739的a-Si∶ H/a-SiGe∶H叠层电池.调整叠层电池中子电池本征层厚度,制备出效率为9.06％的a-Si∶ H/a-SiGe∶H叠层电池(未加减反射层).
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