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在硅衬底上制备了基于ZnO多晶薄膜的金属-绝缘层-半导体（MIS）器件，该MIS器件在室温下被施以不断增大的正向偏压时，来自于ZnO薄膜的紫外发光从自发辐射转变为受激辐射，并产生随机激光。
室温电抽运硅基ZnO薄膜的随机激光
【摘 要】
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在硅衬底上制备了基于ZnO多晶薄膜的金属-绝缘层-半导体（MIS）器件，该MIS器件在室温下被施以不断增大的正向偏压时，来自于ZnO薄膜的紫外发光从自发辐射转变为受激辐射，并产生随机激
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室
【出 处】
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激光与光电子学进展
【发表日期】
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2008年2期
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