采用氨化技术制备成簇生长的光滑线状氮化镓

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通过在1 000℃时氨化Ga2O3/MgO/Si(111)薄膜15 min,制备出成簇生长的光滑的长直线状GaN.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率电子显微镜(HRTEM)对样品进行测试分析.结果表明,线状GaN为六方纤锌矿结构单晶相,表面光滑,且成簇生长,直径在200 nm~400 nm左右,其长度可达5μm~20μm.
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