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通过对国产加固N型MOS电容进行衬底热电子高场注入（SHE）及r总剂量辐射实验，特别是进行总剂量辐射损伤后的热载流子损伤叠加实验，从同观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度研究比较了MOS结构热载流了损伤特性及与电离辐射损伤的关系。
MOS电容的热载流子损伤及其与电离辐射损伤的关系
【摘 要】
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通过对国产加固N型MOS电容进行衬底热电子高场注入（SHE）及r总剂量辐射实验，特别是进行总剂量辐射损伤后的热载流子损伤叠加实验，从同观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的
【机 构】
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中科院新疆物理研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2001年1期
【基金项目】
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国防科技预研基金
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