联栅晶体管相关论文
通过作者最近建立的关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分析和电场分布的二维解析模型定量研究了 GAT的雪崩击穿特性 ,并且......
通过作者最近建立的关于 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了 GAT的基区穿通电压 VPI,并且解释了......
联栅晶体管是一种介于双极型晶体管和结型场效应晶体管之间的电流控制型电力电子器件。本文介绍了GAT的结构,特点及其应用。......
通过作者最近建立的关于电力半导体器件GAT的集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型即《GAT栅屏蔽效应二维解析模型》、《......
建立了 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了GAT的栅屏蔽效应的解析表达式 ,并借助计算机对栅屏蔽......
<正> 联栅晶体管(简称GAT)是具有高速高反压低饱和压降性能的功率开关器件,它是一种双极型晶体管的改进型结构。它有一个特殊的基......
<正> 联栅晶体管(Gate Associated Transistor)是由日本Hisao,Kondo等人在1979年提出的,它是一种双极型晶体管的改进结构,它有一个......