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退火损伤对Er注入GaAs和Yb注入InP发光的影响
退火损伤对Er注入GaAs和Yb注入InP发光的影响
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fqdml
【摘 要】
:
本文报道了CaAs∶Er、InP∶Yb发光样品的二次离子质谱、X-射线双晶衍射测量结果及其与Er离子的表面成份的关系.分析讨论了退火损伤对GaAs∶Er和InP∶Yb发光的影响以及Er~(3+)
【作 者】
:
曹望和
张联苏
【机 构】
:
中国科学院长春物理研究所,中国科学院长春物理研究所长春130021,长春130021
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
1991年2期
【关键词】
:
稀土离子
注入
GAAS
INP
光致发光
Rare earth ionGaAsInPPhotoluminescenceLuminescent center
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本文报道了CaAs∶Er、InP∶Yb发光样品的二次离子质谱、X-射线双晶衍射测量结果及其与Er离子的表面成份的关系.分析讨论了退火损伤对GaAs∶Er和InP∶Yb发光的影响以及Er~(3+)复合体发光中心模型.
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