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用Fourier变换光谱仪测定了Si:B,Si:Al,及Si:Ga诸样品的A~+态远红外光电导谱,并首次测得了电场对A~+态的影响。对实验结果及A~+态产生机制进行了讨论。
硅中浅杂质A^＋态的远红外光电导谱
【摘 要】
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用Fourier变换光谱仪测定了Si:B,Si:Al,及Si:Ga诸样品的A~+态远红外光电导谱,并首次测得了电场对A~+态的影响。对实验结果及A~+态产生机制进行了讨论。
【机 构】
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郑州大学物理系,美国密苏里-哥伦比亚大学物理系,美国密苏里-哥伦比亚大学物理系450052郑州
【出 处】
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光谱学与光谱分析
【发表日期】
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1990年3期
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