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运用射频等离子体化学气相沉积在Ｓｉ（１００）Ｐ进行外延试验，并用四极质谱仪（ＱＭＳ）进行监测，得出了ＳｉＨ４浓度的变化规律。试验结果表明在６００℃，压力为３００ｍＴｏｒｒ时，外延生长率最高，为４５０／ｍｉｎ，膜中Ｈ含量也较低，为１．５％［ａｔ］。在压力为３０ｍＴｏｒｒ，７００℃时，外延生长率为５９．６／ｍｉｎ，膜中Ｈ含量降至２．７５％［ａｔ］。