运用射频等离子体化学气相沉积在Ｓｉ（１００）Ｐ进行外延试验，并用四极质谱仪（ＱＭＳ）进行监测，得出了ＳｉＨ４浓度的变化规律。试验结果表明在６００℃，压力为３００ｍＴｏｒｒ时，外延生长率......