【摘 要】
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研究烧结温度的细微变化对V-Mn-Nb-Gd共掺杂氧化锌陶瓷显微组织、电性能、介电性能和衰减行为的影响。随着烧结温度的升高,烧结球团密度由5.54 g/cm3降低到5.42 g/cm3,平均晶
【机 构】
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SemiconductorCeramicsLaboratory
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研究烧结温度的细微变化对V-Mn-Nb-Gd共掺杂氧化锌陶瓷显微组织、电性能、介电性能和衰减行为的影响。随着烧结温度的升高,烧结球团密度由5.54 g/cm3降低到5.42 g/cm3,平均晶粒尺寸由4.1μm增大至11.7μm,击穿场强由7138 V/cm急剧降低至920 V/cm。在900°C烧结的压敏陶瓷呈现极佳的非线性(非欧姆)特性,其非线性系数和漏电流密度分别为66和77μA/cm2。在性能稳定性方面,在85°C、24 h和0.85E1 m A的直流加速应力下,经900
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