【摘 要】
：
提出了一种带P型埋层的新型SOI双介质槽MOSFET。通过在SOI层底部引入P型埋层作为补偿,在耐压优化情况下增加漂移区的浓度,降低了比导通电阻。MEDICI TCAD仿真结果表明:在281V
【机 构】
：
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,
论文部分内容阅读
提出了一种带P型埋层的新型SOI双介质槽MOSFET。通过在SOI层底部引入P型埋层作为补偿,在耐压优化情况下增加漂移区的浓度,降低了比导通电阻。MEDICI TCAD仿真结果表明:在281V击穿电压下,该结构的比导通电阻为4.6mΩ.cm2,与不带P型埋层的结构相比,在达到同样耐压的情况下,比导通电阻降低了19%。
A novel SOI dual-dielectric trench MOSFET with P-type buried layer is proposed. By introducing a P-type buried layer at the bottom of the SOI layer as a compensation, the concentration of the drift region is increased under the withstand voltage optimization condition, and the specific on-resistance is reduced. MEDICI TCAD simulation results show that the specific on-resistance of the structure is 4.6mΩ.cm2 at 281V breakdown voltage. Compared with the structure without P-type buried layer, the specific on-resistance The resistance is reduced by 19%.
其他文献
我科2007-10-2009-04收治169例声带息肉患者,术后85例患者采用普米克令舒喉部雾化吸入治疗,并与84例采用地塞米松雾化吸入患者进行对比观察。现报告如下。1资料与方法1.1临床
目的 探讨分析218例巨大胆总管结石病人的临床表现、辅助检查、内镜治疗及并发症发生情况.方法 将218例胆总管结石(直径≥2 cm)病人作为观察组,并按结石数量分为1枚结石组、2
HBsAg和HBV e抗原(HBeAg)定量检测的发展有助于监测患者血中HBV抗原的动态变化,在干扰素治疗过程中优于单纯监测HBV DNA.长效干扰素治疗12和24周,HBsAg水平及其下降幅度与患
对导叶式旋风管内气、固两相进行数值模拟,从颗粒在排尘锥内不同位置的碰撞概率、返混情况、停留时间分布3个方面对颗粒的运动情况进行描述,研究不同流动参数下颗粒的运动变
为了探索改进立式磨动态性能的途径,以大中型矿渣立式磨为研究对象,采用有限元软件ANSYS对立式磨磨盘的结构参数调整和设置减震情况进行有限元模态分析,分析振型和固有频率的
为了客观地评价球磨和搅拌粉磨的设备效能,并为高炉矿渣高效制备技术的开发研究提供相关的试验研究数据,采用小型球磨和搅拌磨制备不同粒度的高炉矿渣产品,对不同粉磨方式下
提出了一种适用于PDP行驱动电路的矩阵控制方法,并设计了行驱动逻辑控制电路。与常规的控制方法相比,矩阵控制方法使高压MOS管的数量减少70%以上,极大地减小了芯片面积。仿真
基于普通带隙基准原理,设计了一种简单的3阶补偿带隙基准电路。这种补偿方式无需改变普通带隙基准的结构,仅增加很少的器件就能实现3阶补偿,具有电路实现简单、功耗低、容易
采用标准0.18μm CMOS工艺,设计了一款应用于900MHz UHF RFID读写器的有源I/Q正交上混频器。通过直流电平转换电路控制I/Q支路的信号输入,实现了ISO/IEC 18000-6协议所要求的3种调制方式(SSB-ASK,DSB-ASK和PR-ASK),并且实现了可控调制深度。在进行SSB-ASK调制时,得到的仿真结果为:上混频器的输入1dB压缩点为-3dBV,转换增益为2.34d
介绍了一种带频率抖动功能的振荡器,该振荡器结构简单、频率抖动效果明显,通过周期性改变振荡器内部比较器的比较阈值达到频率抖动的效果,可有效降低芯片电磁干扰。使用0.5μ