【摘 要】
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本文利用全量子理论推导了半导体中多光子吸收跃迁速率的一般表达式。对各种模型计算了本征ＧａＡｓ在λ＝２．０６ｕｍ下的三光子吸收系数。实验上采用非线性光电导和非线性光透射技术，测量了ＧａＡｓ中三光
【机 构】
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中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室
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本文利用全量子理论推导了半导体中多光子吸收跃迁速率的一般表达式。对各种模型计算了本征ＧａＡｓ在λ＝２．０６ｕｍ下的三光子吸收系数。实验上采用非线性光电导和非线性光透射技术，测量了ＧａＡｓ中三光子吸收系数。
In this paper, the general quantum theory is used to deduce the general expression of multiphoton absorption transition in semiconductors. For each model, the three-photon absorption coefficient of intrinsic GaAs at λ = 2.06um was calculated. In the experiment, non-linear photoconductive and non-linear optical transmission techniques were used to measure the three-photon absorption coefficient in GaAs.
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