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介绍了一种刻蚀效果良好的应用于铁电存储器（FeRAM）的PZT薄膜的化学湿法化学刻蚀方法。采用典型的半导体光刻工艺，通过研究不同的刻蚀剂对PZT薄膜的化学刻蚀效果表明，利用BOE／HNO3／CH3C00H／HCl／NH4Cl／EDTA刻蚀液刻蚀PZT薄膜可得图形质量及铁电性能良好的铁电电容，能满足铁电存储器对铁电薄膜微图形化要求。