论文部分内容阅读
从第一性原理出发,在广义梯度近似(GGA)下,采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势计算方法,着重研究了单轴应变对钙钛矿型陶瓷材料BaHfO,电子结构与光学性质的调制影响。研究结果表明:无应变作用时,BaHfO,是一种宽禁带绝缘体;施加单轴应变后其逐渐呈现半导体材料的特征。BaHfO,带隙随拉应变增加线性减小,压应变与带隙则具有明显的非线性关系。对光学性质的分析发现:施加压(拉)应变后,介电函数虚部尖峰增多(减小),光学吸收带边产生蓝移(红移)。此外,单轴应变作用下BaHfO。的静态介电常数和折射率均变大。