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本文综述了国外等离子体刻蚀技术的发展概况,对等离子体刻蚀的基本原理和反应动力学的问题作了比较详细的介绍和论述,对设备的设计考虑,包括磁控溅射等新的设计技术进行了介绍,同时还讨论了影响刻蚀图形精度的各种因素以及用于终点检测的各种方法,最后对刻蚀速率问题和刻蚀的选择性问题进行了分析,并且简单地介绍了半导体技术中某些常用材料的等离子体刻蚀.