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本文提出一种源漏轻掺杂异质栅结构石墨烯纳米条带场效应晶体管GrapheneNano Ribbon Field-effect Transistor（HMG-LDDS-GNR-FET），采用量子力学模型，研究其电学特性。仿真结果表明，与普通石墨烯纳米场效应晶体管（C-GNRFET）相比，HMG-LDDS-GNRFET的漏电流更小、开关电流比更大，电压增益也更大。该研究结果对碳基材料场效应管器件的设计有指导意义。