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本文推广应用随机开关理论,建立了MOS器件1/f噪声的双态系统理论,提出了确定载流子俘获与释放过程时间常数的方法,在此基础上推导出MOS器件热激发模型的1/f噪声表达式,给出了迄今比较完整的温度因子和偏置因子表示式。本理论能够解释迄今发表的低温下MOS器件1/f噪声的许多实验结果,由此表明,热激发模型有可能更接近1/f噪声的物理本质。