【摘 要】
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利用红外光谱研究了等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法淀积的ａ－ＳiＮｘ：Ｈ薄膜。分析了气体流量比（Ｒ）、衬底温度（Ｔｓ）以及射频功率（Ｐ(ｒｆ)）的变化对ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ薄膜中ＳｉＨ、ＮＨ和ＮＨ２基团的吸收峰强度的影响，同时研究了退火条件对ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ薄膜
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所!北方液晶工程研究开发中心吉林长春１３００２１,中国科学院长春物理研究所!北方液晶工程研究开发中心吉林长春１３００２１,中国科学院长春物理研究所!北方液晶工程研究开发中心吉林长
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利用红外光谱研究了等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法淀积的ａ－ＳiＮｘ：Ｈ薄膜。分析了气体流量比（Ｒ）、衬底温度（Ｔｓ）以及射频功率（Ｐ(ｒｆ)）的变化对ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ薄膜中ＳｉＨ、ＮＨ和ＮＨ２基团的吸收峰强度的影响，同时研究了退火条件对ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ薄膜中含氢基团的影响。
The a-SiNx: H thin film deposited by plasma chemical vapor deposition (PECVD) was studied by infrared spectroscopy. The effects of gas flow ratio (R), substrate temperature (Ts) and RF power (P (rf)) on the absorption peak intensities of SiH, NH and NH2 groups in a-SiNx: H thin films were investigated. Effect of Annealing Conditions on Hydrogen-Containing Groups in a-SiNx: H Thin Films.
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