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本文在引入金属硅化物基本特性的基础上，阐述了当今深亚微米工艺制程中广泛应用的两种金属硅化物一TiSi2和CoSi2在深亚微米技术中形成的机理及关键点，特别介绍了所谓“自对准硅化物”形成方式(Self—Aligned Silicide-Salicide)的原理及工艺过程，着重讨论了受“窄线宽效应”等影响时，TiSi2等金属硅化物出现异常情况的原因，并针对性地给出了一些解决策略。与此同时，也讨论了在芯片设计时如何进行合理的单元拓扑结构设计，以期使金属硅化物发挥更大的效用等问题。